据说三星明年将在GalaxyS25系列上采用双芯片发布策略，在多款手机上同时使用高通公司的Snapdragon8Gen4和Exynos2500。这家韩国巨头在推出GalaxyS24系列时也采用了这一策略，该系列产品是三星2024年第一季度营业利润的主要贡献者，与2023年第一季度相比，该季度营业利润攀升了933%。

现在，一份新的报告指出，Exynos2500将提高工艺标准，预计将使用第二代3nmGAA（Gate-All-Around）工艺，以提高明年旗舰机型的性能与效率。

据BusinessKorea报道，为了跟上台积电的步伐，三星将利用其第二代3nmGAA工艺量产Exynos2500。目前，这家韩国巨头是唯一一家在其移动芯片组中应用Gate-All-Around技术的代工厂，这可能使其在与台湾半导体竞争对手的第二代"N3E"节点的竞争中占据上风。

该报告提到，Exynos2500将比骁龙8Gen4表现出更高的能效属性，但应该指出的是，这些说法是一位线人之前提出的。

三星的3nmGAA工艺据说可以减少能量泄漏并提高电流驱动力。该公司声称，其第二代技术将把功耗降低50%，性能提高30%，面积缩小35%。据悉，第一代3纳米GAA节点与三星的5纳米工艺相比有一系列改进，功耗降低了45%，性能提高了23%，面积缩小了16%。

对Exynos2500的测试传闻称，后者已经在CPU和GPU测试中击败了高通公司的骁龙8Gen3，因此假设这一消息属实，那么三星的手机处理器芯片有了一个非常好的开始。不过，我们不应该在第一批基准测试结果出来之前就匆忙下结论，因此，尽管三星努力提升工艺与台积电保持竞争的做法值得称赞，但毕竟它已经让我们失望了很多次，而且是以相同的形式。